技術(shù)編號：99640
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及用于生產(chǎn)高集成電路元件工藝所采用的施，此處在顯影圖形尺寸方面充許有很小的差異。一種已經(jīng)在日本專利公開號為155925/1984中公開。根據(jù)這種方法，在加保護(hù)層之前先進(jìn)行光敏反應(yīng)。然而它并沒有提到有關(guān)保護(hù)層膜的理想厚度問題。還有，日本專利公開號為155930/1984，155927/1984和155921/1984中公開了有關(guān)形成完好的圖形而，但是都沒有能指出如何使保護(hù)層膜的厚度最佳化。本發(fā)明的目的是提供一種，它能增加高集成電路元件的生產(chǎn)量而同時降低在硅片上形成的元件顯影尺寸的差異。如果保護(hù)層...
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