技術(shù)編號(hào)：9921107
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體刻蝕工藝主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。其中，干法刻蝕主要包括離子束濺射刻蝕(物理作用)、等離子體刻蝕(化學(xué)作用)、反應(yīng)離子刻蝕(物理化學(xué)作用)；濕法刻蝕主要包括化學(xué)刻蝕、電解刻蝕。濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低。濕法刻蝕的缺點(diǎn)是鉆刻嚴(yán)重、會(huì)產(chǎn)生大量的化學(xué)廢液。公開號(hào)為CN1710705A的中國(guó)發(fā)明專利(公開日期為2005年12月21日)公開了一種硅濕法刻蝕工藝，并具體公開了在潔凈的硅片上濺射Cr膜，在Cr掩膜上利用光刻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。