技術(shù)編號：9868360
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造，具體涉及一種。背景技術(shù)VDMOS (vertical double-diffus1n metal-oxi de-semi conductor,垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu))器件是新一代功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。圖1為傳統(tǒng)的功率VDMOS器件的元胞示意圖，其中N型外延層通過背面電極引出，作為漏電極(Drain) ;P型講區(qū)(P_body)通過表面P+、N+引出，作為源電極(Source) ；P型阱區(qū)之間的外延...
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