技術(shù)編號：9868187
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。通常，半導(dǎo)體裝置通過在半導(dǎo)體基板上反復(fù)進(jìn)行光刻、蝕刻、蒸鍍、擴(kuò)散、離子注入、金屬沉積等工序而形成。在經(jīng)過所述工序而制造半導(dǎo)體裝置為止，半導(dǎo)體基板頻繁地搬入搬出于以高真空狀態(tài)維持的腔室。包括腔室的半導(dǎo)體制造設(shè)備可根據(jù)裝入多少張半導(dǎo)體基板而劃分為分批式(batch type)和單片式(single wafer type)。對于單片式而言，在一個(gè)腔室內(nèi)投入一張半導(dǎo)體基板而執(zhí)行工序，因而存在生產(chǎn)率降低的缺點(diǎn)，然而，由于半導(dǎo)體基板變得大直徑化且適合于關(guān)鍵工序，因此最...
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