技術(shù)編號：9845526
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)有技術(shù)中，為了在藍(lán)寶石、碳化硅、硅等襯底上采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的方法獲得高質(zhì)量的GaN外延層，通常需要在低溫下沉積一層GaN或者AlN緩沖層，然后在緩沖層上生長GaN外延層。越來越多的研究表明，使用物理氣相沉積(PVD)的方法，可以在襯底上形成更加均勻致密、與襯底結(jié)合力更強(qiáng)的AlN緩沖層。美國專利公開號為US20140264363A1公開了使用PVD法沉積具有XRD(002)FWHM〈15弧秒且表面粗糙度<2nm的AlNI1在沉積...
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