技術(shù)編號(hào)：9794360
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。以往，已知有在Si半導(dǎo)體層上構(gòu)成含有壓電薄膜的激振部的MEMS(MicroElectroMechanical Systems)結(jié)構(gòu)。例如在下述的專利文獻(xiàn)I中公開了多個(gè)振動(dòng)臂的各一端連接于支承部的振動(dòng)裝置。在該振動(dòng)裝置中，振動(dòng)臂具有Si半導(dǎo)體層。在Si半導(dǎo)體層上設(shè)置S12膜。此外，在S12膜上依次層疊第I電極、壓電薄膜以及第2電極。即，在Si半導(dǎo)體層上構(gòu)成含有壓電薄膜的激振部。專利文獻(xiàn)I所記載的振動(dòng)裝置為利用體波的振動(dòng)裝置。此外，在專利文獻(xiàn)I所記載的振動(dòng)裝置...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。