技術(shù)編號(hào)：9752749
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉電子元件技術(shù)，具體指。技術(shù)背景AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)高電子迀移率晶體管(HEMT)在因其在高功率、高頻和高溫應(yīng)用中的優(yōu)異性能在過(guò)去十幾年中吸引了半導(dǎo)體領(lǐng)域眾多研究者的關(guān)注。然而電流崩塌效應(yīng)和自加熱效應(yīng)嚴(yán)重制約著GaN器件的性能和可靠性。為了獲得更高性能和更大功率的AlGaN/GaN HEMT器件，研究者發(fā)明了一些基于AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的優(yōu)化結(jié)構(gòu)，如2004年紐約州立大學(xué)的W.Lanfort等人發(fā)明了 AlGaN/InGaN/GaN雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，...
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