技術(shù)編號：9732264
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光電子半導(dǎo)體芯片，所述光電子半導(dǎo)體芯片具有構(gòu)成為多量子阱結(jié)構(gòu)的有源層。本專利申請要求德國專利申請102013 107 969.5的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容在此作為參引并入本文。背景技術(shù)在發(fā)射輻射的光電子半導(dǎo)體芯片、例如LED芯片或激光二極管芯片中，輻射的發(fā)射通常與工作溫度相關(guān)。典型地，要考慮輻射產(chǎn)生的效率隨著溫度升高而降低。輻射產(chǎn)生的降低的效率在非常高的工作溫度下會(huì)引起亮度的明顯降低。例如，在包含InGaAlP半導(dǎo)體材料并且在550nm至640nm...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。