技術(shù)編號：9728716
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著器件的特征尺寸不斷減小，在進(jìn)入納米尺度尤其是22nm以下尺寸以后，臨近半導(dǎo)體物理器件的極限問題接踵而來，如電容損耗、漏電流增大、噪聲提升、閂鎖效應(yīng)和短溝道效應(yīng)等，為了克服這些問題，SOI (絕緣體上娃，Si 1 icon-On-1nsulator)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。SOI襯底分厚層和薄層S0I，薄層S0I器件的頂層硅的厚度小于柵下最大耗盡層的寬度，當(dāng)頂層娃的厚度變薄時(shí)，器件從部分耗盡(Partially Deplet1n)向全部耗盡(FullyDeplet...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。