技術(shù)編號：9725608
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱 IGBT)是由雙 極型Η極管度JT)和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo) 體器件，兼有M0SFET器件的高輸入阻抗和電力晶體管（即巨型晶體管，簡稱GTR)的高速開 關(guān)特性的優(yōu)點(diǎn)，因此，IGBT作為一種重要的開關(guān)器件被廣泛的應(yīng)用在各種開關(guān)電路結(jié)構(gòu)中。 IGBT -個重要的應(yīng)用是作為開關(guān)管用于電磁爐的控制電路中。參考圖1，圖1為 電磁...
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