技術(shù)編號(hào)：9713214
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 近年來(lái)，基于黃銅礦系化合物半導(dǎo)體的薄膜型太陽(yáng)能電池提供于實(shí)際使用中，基 于該化合物半導(dǎo)體的薄膜型太陽(yáng)能電池具有如下基本結(jié)構(gòu)在鈉鈣玻璃基板上形成成為正 電極的Mo電極層，在該Mo電極層上形成有由CIGS膜構(gòu)成的光吸收層，在該光吸收層上形成 有由ZnSXdS等構(gòu)成的緩沖層，在該緩沖層上形成有成為負(fù)電極的透明電極層。 作為上述光吸收層的形成方法，已知有例如通過(guò)多源蒸鍍法進(jìn)行成膜的方法。通 過(guò)該方法得到的光吸收層可得到較高的能量轉(zhuǎn)換效率，但由于是基于點(diǎn)放射源的蒸...
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