技術(shù)編號：9689419
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體技術(shù)中，絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和電力晶體管(即巨型晶體管，簡稱GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，因此，IGBT作為一種必須的開關(guān)器件被廣泛的應(yīng)用在變頻器和逆變器等電路結(jié)構(gòu)中。出于降低能量損失及提高散熱性等目的，往往需要對IGBT器件進(jìn)行減薄，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。