技術(shù)編號：9689188
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)可用于減小短溝道效應(yīng)。硅鍺溝道區(qū)用于提高載流子的迀移率。然而，硅鍺溝道的帶隙小于硅溝道的帶隙，因此，關(guān)斷狀態(tài)的漏電流會由于帶帶遂穿(BTBT)而增大。減小關(guān)斷狀態(tài)的漏電流同時保持載流子的高迀移率的改進的方法是被期望的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明構(gòu)思的一些實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括有源層、柵極結(jié)構(gòu)、間隔件和源極/漏極層。有源層位于襯底上并且包括鍺。有源層包括具有第一鍺濃度的第一區(qū)和位于第一區(qū)的兩側(cè)的第二區(qū)。第二區(qū)的頂表面從第二區(qū)的...
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