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一種基片安裝平臺(tái)和一種等離子處理裝置及其運(yùn)行方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):9689081

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如圖1所示,等離子處理裝置包括一個(gè)反應(yīng)腔10,反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)基座33,基座內(nèi)包括下電極。基座上方包括靜電夾盤(pán)34,待處理的基片30設(shè)置在靜電夾盤(pán)上,一個(gè)聚焦環(huán)36圍繞在靜電夾盤(pán)周?chē)?。一個(gè)具有較低頻率(如2Mhz?400Khz)的射頻電源35通過(guò)一個(gè)匹配器連接到基座內(nèi)的下電極33。反應(yīng)腔頂部還包括一個(gè)氣體分布裝置40,如氣體噴淋頭、或者將反應(yīng)氣體通入反應(yīng)腔的噴管。氣體分布裝置通過(guò)分流裝置或者開(kāi)關(guān)閥門(mén)連接到一個(gè)氣源20。氣體噴淋頭可以作為上電極與基座33內(nèi)的...
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