技術(shù)編號:9619388
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)階段用于光刻的13.5nm波段的極紫外光源有電子同步輻射光源(ECR)、激光等離子光源(LPP)和放電等離子體光源(DPP)。其中DPP較早前采用對高溫高密度的氙(Xe)氣放電的方法,后來研究發(fā)現(xiàn)錫(Sn)的EUV轉(zhuǎn)換效率要高于Xe,但是常溫狀態(tài)下錫為固體,所以采用激光轟擊固體Sn靶表面產(chǎn)生Sn蒸氣后再放電,即最早的激光誘導(dǎo)錫靶放電等離子體(LDP)。早期的LDP存在很多弊端,如固體錫靶轉(zhuǎn)換效率低且無法連續(xù)供應(yīng)、激光長時(shí)間作用在一點(diǎn)導(dǎo)致固體錫靶表面變形使...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。