技術(shù)編號(hào)：9599371
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于納米技術(shù)和光電子器件，具體涉及一種基于共軛聚合物-納米晶疊層式自裝配功能薄膜的光電探測(cè)器陣列的制造方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)的光電探測(cè)器是用CdSe、CdTe、PbS、PbSe等無機(jī)半導(dǎo)體材料制成。無機(jī)半導(dǎo)體材料有非常穩(wěn)定的光學(xué)和電學(xué)性能，加工工藝成熟。但是無機(jī)半導(dǎo)體材料的局限性也一直困擾著學(xué)術(shù)界和工業(yè)界。首先是它的材料種類十分有限，各種性能值呈離散分布狀態(tài)。盡管摻雜能有效地修改無機(jī)半導(dǎo)體材料的性能，但摻雜需要高溫和相當(dāng)復(fù)雜的工藝，成本昂貴。而且，在電子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。