技術(shù)編號：9599142
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制作領(lǐng)域，具體而言，涉及一種柵極的制作方法及存 儲器件的制作方法。背景技術(shù) 存儲器是集成電路中一種重要部件，其尺寸小，密度高，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中應(yīng)用廣 泛。隨著集成電路的集成度不斷提高，集成電路中存儲器的集成密度也越來越大?，F(xiàn)有存 儲器的柵極通常包括邏輯柵和控制柵，其中邏輯柵形成于邏輯電路區(qū)上，控制柵形成于核 心存儲區(qū)上。 如圖1至圖5所示，現(xiàn)有存儲器的柵極的制作方法包括以下步驟將襯底分為邏 輯電路區(qū)IKV和核心存儲區(qū)130'，形成如...
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