技術(shù)編號：9599134
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，具體地說是一種在低于100°C的條件下基于原子層沉積技術(shù)在碲鎘汞表面生長絕緣性優(yōu)異的非晶氧化鋁層的方法。技術(shù)背景在自旋場效應(yīng)晶體管中，自旋是信息的有效載體，自旋取向的調(diào)控是實現(xiàn)自旋晶體管器件開關(guān)的關(guān)鍵步驟。自旋取向的調(diào)控是利用柵壓來改變Rashba自旋軌道耦合作用來實現(xiàn)的。自旋軌道耦合是一種相對論效應(yīng)，其大小和半導(dǎo)體材料的禁帶寬度成反比。碲鎘汞(Hgl xCdxTe，簡寫為MCT)材料的禁帶寬度隨組分的變化可以從OeV到1.5eV連續(xù)可調(diào)，因此...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。