技術編號：9590592
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。近年來對半導體納米線的興趣在增長。與常規(guī)的平面技術相比，基于納米線的半導體器件提供了歸因于納米線的一維屬性的獨一無二的特性、歸因于較少的晶格匹配限制的在材料組合方面提高的靈活性以及新型器件構架的可能性。用于生長半導體納米線的合適方法在本中是已知的，并且一個基本制程是在半導體襯底上通過粒子輔助生長或所謂的VLS (氣-液-固)機制的納米線形成，這例如在US 7，335，908中被公開。舉例來說可利用化學束外延(CBE)、金屬有機化學氣相沉積(M0CVD)、金...
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