技術(shù)編號(hào)：9580638
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸的縮小W及集成電路晶片制造過程中等離子處理工藝 步驟的數(shù)量和復(fù)雜度的迅速增加，人們對(duì)等離子處理工藝控制的要求變得越來越嚴(yán)格，運(yùn) 就需要采用實(shí)時(shí)監(jiān)控的手段來控制等離子工藝過程的關(guān)鍵階段。 現(xiàn)有技術(shù)中等離子處理工藝終點(diǎn)檢測(cè)的方法有很多，如質(zhì)譜法、激光干設(shè)法和等 離子體阻抗變換法等，但運(yùn)些方法都有一些缺點(diǎn)。如，質(zhì)譜法主要通過分析殘余的氣體，但 在輝光放電區(qū)常常漏掉一些短壽命的活性物質(zhì)；激光干設(shè)法只能觀測(cè)到被刻蝕忍片上的某 一特殊區(qū)域，而且...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。