技術(shù)編號：9560846
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。作為將高品質(zhì)的半導(dǎo)體膜成膜的方法，有在晶片等基板上通過氣相生長而使單結(jié)晶膜生長的外延生長技術(shù)。在使用外延生長技術(shù)的氣相生長裝置中，在被保持為常壓或減壓的反應(yīng)室內(nèi)的支承部上載置晶片。并且，一邊將該晶片加熱，一邊將作為成膜的原料的源氣體等過程(process)氣體從反應(yīng)室上部的例如噴淋板向晶片表面供給。在晶片表面上發(fā)生源氣體的熱反應(yīng)等，在晶片表面上成膜外延單結(jié)晶膜。近年來，作為發(fā)光設(shè)備或功率設(shè)備的材料，GaN(氮化鎵)類的半導(dǎo)體設(shè)備受到關(guān)注。作為對GaN類的半...
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