技術(shù)編號(hào):9547325
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,CMOS工藝器件制造工藝已經(jīng)發(fā)展到了深亞微 米,元件尺寸不斷減小,集成電路結(jié)構(gòu)及版圖復(fù)雜化程度不斷提高,器件彼此之間不匹配現(xiàn) 象也隨之越來(lái)越嚴(yán)重,從而在一定程度上影響到射頻/模擬集成電路的性能,甚至?xí)?dǎo)致 電路不能正常工作。兩個(gè)鄰近器件特性的不匹配,主要是因?yàn)楣に嚿a(chǎn)過(guò)程中的隨機(jī)性和 不可控制的變化。而且器件在不同的工作狀態(tài)下,比如以MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 管)為例,當(dāng)柵極(gate)、漏極(drain)、襯底(b...
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