技術編號：9519639
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。由于半導體襯底(S1、藍寶石等)與GaN外延層有不同的晶格失配和熱膨脹系數(shù)，生長后在外延層會產(chǎn)生內應力。在某些領域，外延層中的應力場不同程度地影響或者制約著器件的性能。異質外延的應力場成為半導體領域的困擾問題之一。目前，科學研究者通過不同的途徑進行應力釋放，也取得了突破性的進展。其中在線生長SiNx掩膜層是一種高效消除應力場的技術，同時它還可以阻隔位錯再次實現(xiàn)側向外延技術進一步提高晶體質量。然而當前的在線生長SiNx掩膜層的方案都是基于M0CVD需要穩(wěn)定的...
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