技術(shù)編號：9493819
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。氮化物半導(dǎo)體層一般形成于低價的硅基板上或藍寶石基板上。然而，這些基板的晶格常數(shù)與氮化物半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)差異大，且熱膨脹系數(shù)也相異。因此，在基板上，于通過外延成長所形成的氮化物半導(dǎo)體層中，會產(chǎn)生高應(yīng)變能。其結(jié)果，在氮化物半導(dǎo)體層中容易發(fā)生裂痕和結(jié)晶品質(zhì)的低下等。為了解決上述問題，提出一種方法，該方法在硅基板與由氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成的有源層之間，配置將氮化物半導(dǎo)體層積層而成的緩沖層(例如，參照專利文獻1)。將專利文獻1的具有緩沖層的半導(dǎo)體晶片1，顯示于圖4中。...
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