技術(shù)編號(hào)：9491556
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著科學(xué)的進(jìn)步，越來越多的由高科技領(lǐng)域核心組成的集成電路需要工作于輻射環(huán)境當(dāng)中。而隨著集成電路的高速發(fā)展，集成電路的特征尺寸越來越小，這也使得集成電路的抗輻射能力不斷減弱。因此，對(duì)于集成電路抗輻照研究越來越迫切。輻射環(huán)境對(duì)集成電路主要造成總劑量效應(yīng)和單粒子效應(yīng)兩種影響。隨著微電子工藝的進(jìn)步，器件特征尺寸越來越小，總劑量效應(yīng)對(duì)集成電路的影響已經(jīng)越來越弱，而單粒子效應(yīng)的影響在不斷加大。發(fā)明內(nèi)容為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、抗輻射性能好的Ρ溝道場(chǎng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。