技術(shù)編號：9490353
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。對于提供非易失性數(shù)據(jù)存儲、較高數(shù)據(jù)存儲能力和較低功耗的存儲器裝置的持續(xù)市場需求催生了對某些下一代存儲器裝置的研究。理想地，下一代存儲器裝置將提供動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的高存儲器單元集成密度、閃速存儲器的非易失性數(shù)據(jù)存儲能力和靜態(tài)RAM(SRAM)的數(shù)據(jù)存取速度。當(dāng)前在開發(fā)的下一代存儲器裝置的示例包括相變RAM (PRAM)、納米浮柵存儲器(NFGM)、聚合物 RAM (PoRAM)、磁性 RAM (MRAM)、鐵電 RAM (FeRAM)和電阻型R...
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