技術(shù)編號(hào):9438260
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專(zhuān)利說(shuō)明相關(guān)專(zhuān)利串請(qǐng)本專(zhuān)利申請(qǐng)要求2013年7月8日提交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)N0.13/937,149和2013年2月5日提交的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)N0.61/761,165的優(yōu)先權(quán)權(quán)益。背景技術(shù)1.摶術(shù)領(lǐng)域所公開(kāi)的發(fā)明涉及制造碳化硅(SiC)晶體和晶片。2.相關(guān)技術(shù)碳化硅SiC因其寬帶隙特性以及也對(duì)于極高硬度、高導(dǎo)熱性和化學(xué)惰性特性,是熟悉材料科學(xué)、電子學(xué)和物理學(xué)的技術(shù)人員所公認(rèn)有利的晶體半導(dǎo)體材料。這些特性使SiC成為對(duì)于制造功率半導(dǎo)體器件極具吸引力的半導(dǎo)體,使...
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