技術(shù)編號(hào)：9434434
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在功率MOSFET器件制造領(lǐng)域，大量使用鈦(Ti) /氮化鈦(TiN) /鋁復(fù)合金屬結(jié)構(gòu)作為MOSFET器件的金屬電極，其中Ti與半導(dǎo)體硅或多晶硅接觸，通過一定的高溫退火形成歐姆接觸；TiN用于鋁與絕緣介質(zhì)層(二氧化硅、氮化硅等)的粘附層，保證鋁與絕緣介質(zhì)層的良好粘附；鋁用于制作功率MOSFET的互連金屬，其中鋁可以是鋁硅銅(AlSiCu)、硅鋁(AlSi)、鋁銅(AlCu)等，最多地使用AlSiCu。在Ti/TiN/AlSiCu復(fù)合金屬結(jié)構(gòu)的制造工藝中，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。