技術(shù)編號：9431536
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。X射線干涉光刻(XIL)是利用兩束或多束相干X光束的干涉條紋對光刻膠進(jìn)行曝光的新型先進(jìn)微、納加工技術(shù)，可以開展幾十甚至十幾個納米周期的納米結(jié)構(gòu)加工，其原理如圖1所示，掩模光柵I’把一束X射線分成多束相干光束，并在襯底2’上的光刻膠3’處產(chǎn)生干涉條紋，從而形成曝光圖形。XIL技術(shù)適用于制備周期為10nm以下的大面積納米周期結(jié)構(gòu)(即曝光圖形)，與其他光刻等方法相比，可以更可靠地獲得大面積、高質(zhì)量的亞50nm的高密度周期性納米結(jié)構(gòu)，在納米電子學(xué)、微納光學(xué)、納米生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。