技術(shù)編號：9419136
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。作為在近紅外光的波長區(qū)域具有較高的光譜靈敏度特性的光電二極管，已知使用有化合物半導(dǎo)體的光電二極管(例如參照專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)I中所記載的光電二極管包括第I受光層，其由InGaAsNUnGaAsNSb及InGaAsNP中的任一者構(gòu)成；及第2受光層，其具有比第I受光層的吸收端更長波長的吸收端，且包含量子阱結(jié)構(gòu)。先前技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開2008-153311號公報發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的問題然而，這種使用有化合物半導(dǎo)體的光電二極管的價格依然較高，...
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