技術(shù)編號(hào)：9419052
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨機(jī)存儲(chǔ)器(例如DRAM與SRAM)在使用過(guò)程中存在掉電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失的問(wèn)題。為了克服該問(wèn)題，人們已經(jīng)設(shè)計(jì)并開發(fā)了多種快閃存儲(chǔ)器?；诟鸥拍畹拈W存由于具有較小的單元尺寸和良好的工作性能成為較為通用的快閃存儲(chǔ)器?？扉W存儲(chǔ)器包括兩種基本結(jié)構(gòu)柵極疊層(stack gate)和分柵(split gate)結(jié)構(gòu)。其中，柵極疊層快閃存儲(chǔ)器包括依次形成于半導(dǎo)體基片上的隧穿氧化物層、存儲(chǔ)電子的浮置氮化硅層、控制氧化層、和控制電子存儲(chǔ)和釋放的控制柵極多晶硅層，即SONOS...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。