技術(shù)編號：9418993
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展藍圖的預(yù)測，2015年集成電路加工工藝將減小到到15納米，2019年達到11納米。隨著集成電路技術(shù)發(fā)展到22納米及以下節(jié)點時，傳統(tǒng)器件所采用的材料和器件結(jié)構(gòu)將會接近或達到它們的極限。近年來，絕緣體上材料以其獨特的絕緣埋層結(jié)構(gòu)，能降低襯底的寄生電容和漏電電流，在低壓、低功耗、高溫、抗輻射器件等諸多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。SOI (絕緣體上娃，Silicon on Insulator)結(jié)構(gòu)被認(rèn)為是延續(xù)摩爾定律發(fā)展的關(guān)鍵襯底材料之一。通常...
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