技術(shù)編號：9412099
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種無機半導體材料，特別是SiC納米陣列。背景技術(shù)碳化硅(SiC)是第三代半導體的核心材料之一，與元素半導體材料(Si)和其他化合物半導體材料GaAs、GaP和InP相比，它具有很多優(yōu)點。碳化硅不僅具有較大的帶隙寬度(3C、4H、6H型碳化硅在室溫下的帶隙寬度分別為2.23,3.22,2.86eV)，而且具有高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子漂移速度等特點，在高溫、高頻，大功率，光電子和抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用前景。用碳化硅取代硅，制備光電器件...
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