技術(shù)編號(hào)：9375526
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，尤其涉及一種擴(kuò)展同步內(nèi)存總線功能的方法和裝置。背景技術(shù)隨著多核時(shí)代的進(jìn)化和大數(shù)據(jù)時(shí)代的來臨，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)于大容量?jī)?nèi)存的需求不斷加強(qiáng)。多核處理器可以將多個(gè)并發(fā)應(yīng)用放在一個(gè)芯片上運(yùn)行，需要的內(nèi)存也就是所有應(yīng)用數(shù)據(jù)需求的總和。而最新出現(xiàn)的以Spark為代表的內(nèi)存計(jì)算模式，在處理大數(shù)據(jù)應(yīng)用時(shí)，會(huì)嘗試將工作集常駐內(nèi)存，以避免緩慢的磁盤操作。這都說明大容量?jī)?nèi)存已成為影響性能的決定性因素。近年來以電阻存儲(chǔ)器(RRAM, Resistive rand...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
請(qǐng)注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。