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技術(shù)編號：9368375

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CVD(Chemical Vapor Deposit1n,化學(xué)氣相淀積)方法是一種利用不同氣體在高溫下的相互反應(yīng)來制備外延薄膜層的方法。對于CVD設(shè)備來說反應(yīng)溫度一般都較高，比如GaN薄膜的生長溫度為1200°C，Si單晶薄膜的生長溫度為1100°C。通常高溫加熱采用的方式有加熱絲加熱、燈管加熱和感應(yīng)加熱，在1000度以上的CVD設(shè)備中采用感應(yīng)加熱的較多。由于溫度較高，石英在高溫下具有較好的穩(wěn)定性和耐驟冷驟熱的特點，因此CVD技術(shù)普遍使用的是石英腔，但是同...
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