技術(shù)編號(hào)：9364934
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在LED (Light Emitting D1de,發(fā)光二極管)和 LD (Laser D1de,激光二極管)激發(fā)熒光粉發(fā)光的發(fā)光裝置中，波長轉(zhuǎn)換層往往是制成薄層的形態(tài)(50-300 μ m)。激發(fā)光在這個(gè)薄層中穿行的路徑要足夠長，以使激發(fā)光能夠被熒光粉體充分的吸收，以發(fā)出盡可能高強(qiáng)度的光；同時(shí)激發(fā)光在這個(gè)薄層中穿行的距離也要足夠短，以使激發(fā)光能夠部分穿透，這些穿透的激發(fā)光可以和熒光粉體被激發(fā)而產(chǎn)生的受激光混合成所需的混合光。由于入射的激發(fā)光與波長轉(zhuǎn)換層厚...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。