技術(shù)編號(hào)：9364200
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。磁控濺射工藝簡(jiǎn)捷高效、低溫節(jié)能、無污染，廣泛地應(yīng)用于集成電路、液晶顯示器、薄膜太陽能電池等領(lǐng)域。目前，半導(dǎo)體及光電器件對(duì)制造工藝的要求越來越精細(xì)化，數(shù)納米量級(jí)薄膜工藝成為制造過程中的關(guān)鍵工藝?，F(xiàn)有技術(shù)中，納米級(jí)薄膜的生長(zhǎng)主要依靠一些更加精密的沉積技術(shù)，如分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等系統(tǒng)設(shè)備，然而，從經(jīng)濟(jì)和環(huán)保的角度來講，上述設(shè)備和工藝復(fù)雜昂貴且污染較嚴(yán)重。較先進(jìn)的磁控濺射設(shè)備也可以實(shí)現(xiàn)1nm甚至更薄薄膜的沉積，但是薄膜的平整...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。