技術(shù)編號：9364199
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。物理氣相沉積(PVD, Physical Vapor Deposit1n)是電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場的作用下加速轟擊濺射基臺上的靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉積在基板上成膜，而最終達(dá)到對基板表面鍍膜的目的。圖1為物理氣相沉積中應(yīng)用磁控濺射環(huán)的濺射反應(yīng)器。請參考圖1，該磁控濺射反應(yīng)器包括具有側(cè)壁114的腔室112，腔室112通常是高真空室，大體上為圓...
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