技術編號：93615
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于工程、核醫(yī)學以及其它技術領域的一種半導體輻射檢測器。用于室溫下的、在包含諸如CdTe、HgI2等等化合物半導體的輻射檢測器中，電荷收集時間，或者與檢測器相連接的前置放大器輸出信號的上沿時間隨著檢測器中輻射被吸收的位置而大幅度地起伏變化，因為，一般說來，空穴漂移遷移率μh遠小于電子遷移率μe。這種趨勢在下述情況變得越發(fā)顯著，即當γ射線高于60KeV、通過正負電極其中之一來輻射檢測器時，這是由于從檢測效率出發(fā)檢測器的厚度(或電極間的距離)或耗盡層的厚度必須大于0.5mm，并且對于能予施加的電壓存在著一種限...
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