技術(shù)編號：9349875
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)代的DRAM內(nèi)存系統(tǒng)，主要是依靠訪存請求的局部性原理來優(yōu)化內(nèi)存系統(tǒng)的功耗效率和性能，但是隨著片上多核處理器集成了越來越多的核，核與核之間對共享內(nèi)存資源的競爭越來越激烈，不同核之間的訪存請求交織在一起，相互干擾，單個應(yīng)用的訪存請求的局部性逐漸消失，致使內(nèi)存的功耗已接近甚至超過了處理器的功耗。而存儲墻問題，也導(dǎo)致了存儲器已經(jīng)成為整個系統(tǒng)性能提升的瓶頸。因此，降低DRAM內(nèi)存系統(tǒng)的功耗，提高系統(tǒng)性能已經(jīng)是迫切需要解決的問題。內(nèi)存控制器會根據(jù)訪存請求的物理地址和...
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