技術(shù)編號(hào)：9328774
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。氮化物半導(dǎo)體如氮化鎵(GaN)及其合金氮化鋁鎵(AlGaN)等是重要的寬禁帶化合物半導(dǎo)體。由于具有大的禁帶寬度、高的擊穿電場(chǎng)，高的電子飽和漂移速度和峰值漂移速度，更重要的是AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面形成有高電子濃度和高電子迀移率的二維電子氣(2DEG)，因此氮化物半導(dǎo)體在高溫、高頻、大功率、抗輻射微波器件或高功率電子器件及其電路中有非常重要的應(yīng)用前景。為了實(shí)現(xiàn)氮化鎵基高電子迀移率晶體管(HEMT)的夾斷等性能，在氮化鎵基HEMT器件材料結(jié)構(gòu)中其導(dǎo)電溝道必...
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