技術編號：9321368
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著集成電路工藝的發(fā)展，晶圓半徑越來越大，半導體生產(chǎn)對薄膜厚度均勻度的控制越來越難，隨著后段工藝層數(shù)的增加，此均勻度不均的問題將被逐層累積。比如，半導體生產(chǎn)中后段經(jīng)過多層薄膜沉積后的晶圓邊緣的光阻散焦缺陷。在現(xiàn)有技術中，在半導體生產(chǎn)中并沒有較好的解決晶圓邊緣區(qū)域薄膜厚度的方法，這對半導體生產(chǎn)的金屬層數(shù)量產(chǎn)生了限制。同時，在某些特定條件下，在半導體生產(chǎn)的前段工藝也同樣需要只針對晶圓邊緣區(qū)域沉積薄膜，以解決薄膜厚度不均等特定問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術問...
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