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一種電容器用摻混納米碳化硼負(fù)載石墨烯的聚酰亞胺高介電復(fù)合薄膜及其制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:9319507

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隨著電子技術(shù)的進(jìn)步,對電容器的介電性能、儲能容量等性能要求越來越高,研制高介電常數(shù)、低介電損耗的介質(zhì)材料就顯得尤為重要,傳統(tǒng)的薄膜電容器介質(zhì)材料主要有非極性的聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯以及極性的聚酰亞胺、聚碳酸酯等材料,其中聚酰亞胺具有良好的機(jī)械性能和熱穩(wěn)定性、易加工性、與基材相容性好、易成膜等優(yōu)點(diǎn),在制備高性能的介電薄膜中表現(xiàn)突出。單純的聚酰亞胺薄膜介電常數(shù)過低,不能滿足生產(chǎn)需求,目前常見的用于提高薄膜介電常數(shù)的方法主要是使用聚合物中摻混高介電材料的方法,...
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