技術(shù)編號：9285316
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。碳化硅(4H-SiC，6H-SiC)是一種寬禁帶半導體材料，它的帶隙寬可達3.0-3.2eV，是Si的3倍，因此，它具有高的臨界擊穿電場(Si的10倍)，高載流子飽和濃度(Si的2倍)等特點，另外，它還具有高熱導率(Si的3倍)的特點，因此，它在軍用和航天領(lǐng)域的高溫、高頻、大功率電力電子、光電器件方面具有優(yōu)越的應用價值，并有望應用于現(xiàn)有的硅基大功率器件不能勝任的場合，成為下一代電力電子半導體的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料之一。碳化硅器件結(jié)構(gòu)中，會存在P阱、N阱或者它們的復...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。