技術(shù)編號(hào)：9275671
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。射頻LDMOS(Laterally Double-Diffused Metal Oxide Semiconductors，橫向雙擴(kuò)散晶體管)場效應(yīng)晶體管是一種應(yīng)用范圍廣的射頻器件，具有線性度好、功率增益高、耐壓高、匹配性能好、效率高和輸出功率大等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于無線通信、移動(dòng)基站、衛(wèi)星通信、雷達(dá)和導(dǎo)航等領(lǐng)域。在大功率射頻LDMOS器件應(yīng)用中，一般希望器件具有大的擊穿電壓、大的輸出功率和高的頻率特性。在射頻LDMOS設(shè)計(jì)過程中，這要求器件具有大的擊穿電壓、低...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。