技術(shù)編號(hào)：9275670
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。500V橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)既具有分立器件高壓大電流特點(diǎn)，又汲取了低壓集成電路高密度智能邏輯控制的優(yōu)點(diǎn)，單芯片實(shí)現(xiàn)原來多個(gè)芯片才能完成的功能，大大縮小了面積，降低了成本，提高了能效，符合現(xiàn)代電力電子器件小型化，智能化，低能耗的發(fā)展方向。擊穿電壓作為衡量500V器件的關(guān)鍵參數(shù)而顯得尤為重要，現(xiàn)有技術(shù)通過在漂移區(qū)的表面形成PTOP層能夠增加漂移區(qū)的耗盡，實(shí)現(xiàn)降低表面電場(chǎng)(Resurf)效果，如圖1所示，是現(xiàn)有NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；在硅...
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