技術(shù)編號(hào)：9262159
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的特征尺寸逐漸變小。而半導(dǎo)體器件特征尺寸的逐漸變小給半導(dǎo)體制造工藝提出了更高的要求。以互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件為例，隨著器件本身的尺寸的減小，為了適應(yīng)這種變化，現(xiàn)有技術(shù)中開始應(yīng)用后柵(gate last)金屬柵工藝形成金屬柵極，以獲得性能更為理想的柵極。這種工藝通常先在襯底上形成偽柵(dummy gate)，并通過(guò)所述偽柵定義源漏區(qū)；在形成源漏區(qū)之后，在襯底上形...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。