技術(shù)編號(hào)：92600
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造尤其是選擇刻蝕技術(shù)。在制造大量半導(dǎo)體元件方面采用多層異質(zhì)外延晶片。要確定實(shí)際元件經(jīng)常需要選擇性地掏蝕其中的一層或幾層。例如下列文獻(xiàn)中所述的傳質(zhì)埋層異質(zhì)結(jié)構(gòu)(MTBH)激光器就是這類元件的一例。Z·L·Liau et al·Appl·phys·Lett、40(7)PP568-570，1982·41;T·R Chen et al J·Appl·phys、54(5)PP 2407-2412，83·3;或A·Hasson et al·Appl...
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