技術(shù)編號：9239701
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明用于改進(jìn)連續(xù)Czochralski方法中的晶體生長的堰 相關(guān)申請的交叉引用 本申請要求2012年11月29日提交的美國專利申請No. 13/689, 189的優(yōu)先權(quán)，通 過引用將其全部公開內(nèi)容全部并入本文中。 領(lǐng)域 本公開內(nèi)容的領(lǐng)域一般性地涉及通過Czochralski方法生長單晶半導(dǎo)體材料。特 別地，本公開內(nèi)容的領(lǐng)域涉及使用帽堰（cap weir)的連續(xù)Czochralski方法。配置帽堰用 于改進(jìn)氣體的流量和壓力，這降低堰的腐蝕速率。 背景 在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。