技術(shù)編號(hào):9236823
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表,氮化鎵(GaN)具有很多優(yōu)良的特性高臨界擊穿電場(chǎng)(?3.5X106V/cm)、高電子迀移率(?2000cm2/v *s)、高的二維電子氣(2DEG)濃度(?113CnT2)和良好的高溫工作能力等。基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的高電子迀移率晶體管(HEMT)(或異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管HFET,調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管MODFET,以下統(tǒng)稱為HEMT器件)在半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)得到應(yīng)用,尤其是在射頻/微波領(lǐng)域已經(jīng)應(yīng)用于無線通信、衛(wèi)星通信等。...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。